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Siliconix推出整合高閾值電壓與低導通電阻的MOSFET

上網時間: 2005年04月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Siliconix  閾值  電壓  導通電阻  MOSFET 

Vishay Intertechnology旗下的Siliconix公司宣佈推出整合3.4V高閾值電壓與2.7mΩ低導通電阻的n通道MOSFET。具有40V和60V版本的這10款新型MOSFET主要用於汽車、工業及固定電信行業中具有電感負載的高溫、高電流應用,例如高階開關、電機驅動及12V板網。

當MOSFET在高溫高電流環境中運行時,如果受熱影響的閾值電壓開始接近0V,則它們會同時打開,這對設計者來說是一個進退維谷的境地。一種解決方案是在電路中添加負電壓驅動器,但缺點是增加了電路尺寸、成本及複雜性。另一種解決方案是使用具有高閾值電壓的元件,但卻也大幅增加了導通電阻。

Siliconix公司推出的MOSFET系列,則利用高密度矽晶技術,使相同元件既提供低導通電阻又提供高閾值電壓,從而避免在汽車、工業以及涉及高溫和高輸出電流的其他應用中出現的同時打開的問題。

這10款n通道的新型MOSFET包括SUM110N04-2m7H、SUM110N04-05H、SUD50N04-06H、SUD50N04-09H、Si7444DP、Si7962DP、SUM110N06-3m9H、SUD50N06-08H、Si7452DP與Si7964DP。這些元件分別採用DPAK、D2PAK及PowerPAK SO-8封裝。





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