Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 功率技術/新能源
 
 
功率技術/新能源  

Oki推出漏極效率達55%的功率GaAs MESFET

上網時間: 2005年04月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Oki  GaAs MESFET  MESFET  砷化鎵金屬化半導體場效應電晶體  Metal Semiconductor Field Effect Transistor 

Oki公司開發出能實現最高漏極(drain)效率的10W級無線通訊用功率GaAs MESFET新品──KGF1934。此款功率GaAs MESFET具有能承受12V電源電壓下工作的漏極耐壓,而且採用細微化柵極(gate)、T型柵結構,以獲得高效率,並且對通道構造進行了最最佳化設計。

產品能維持20V以上的高漏極(drain)耐壓,同時1分貝壓縮點的輸出為10W的高輸出功率時,可獲得55%以上的高漏極效率,而在2W輸出時也能達到25%的漏極效率。其工作頻率範圍為0.1GHz∼3GHz,採用小型法蘭型封裝。

此款GaAs MESFET以W-CDMA、CDMA2000等第3代手機為中心,針對各種無線通訊基地台的功率放大器市場,現可提供樣品,並計畫於6月開始提供大量供貨。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Oki推出漏極效率達55%的功率GaAs MESFE...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首