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功率技術/新能源  

Vishay P通道負載開關導通電阻僅45毫歐

上網時間: 2005年07月05日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Vishay  P通道負載開關  導通電阻  負載開關  Si3499DV 

Vishay Intertechnology新推出五款新型P通道負載開關Si3499DV、Si3495DV、Si8419DB、Si5499DC、Si1499DH,能以1.5V柵極驅動電壓提供極低導通電阻值,在電壓為1.5V時,其導通電阻值可低至45毫歐。

該公司指出,為協助降低功耗及延長電池使用時間,攜帶型電子系統中的眾多ASIC可在1.5V∼1.65V的內核電源電壓下運作。但目前為止,由於缺乏可確保在1.8V電壓下啟動運作的功率MOSFET,如果不使用電平轉換電路,設計人員難以利用這些低內核電源電壓,從而增加了複雜性和功耗。

而新推出的功率MOSFET能夠直接從1.5V內核電源電壓運作,且導通電阻低至45毫歐的元件。憑藉低閾值電壓以及確保可在1.5V柵極驅動電壓下執行的規範,新元件使設計人員無需使用電平轉換電路,並最大程度地實現了電池供電系統中低工作電壓的省電優勢。

日前推出的這五款功率MOSFET中,包含兩款採用LITTLE FOOT TSOP-6封裝的元件,這兩款元件分別具有20V(Si3495DV)和-8V(Si3499DV)漏極到源極擊穿電壓以及在柵極驅動電壓為1.5V時分別為47毫歐和45毫歐的導通電阻。

另外三款-8V的Si8419DB、Si5499DC及Si1499DH分別採用MICRO FOOT、1206-8 ChipFET及SC-70封裝。與新型LITTLE FOOT元件相同,這三款元件的額定柵極電壓均為1.5V。由於採用超小型封裝,這些元件還大幅縮小了佔位面積,能實現更靈活的終端系統設計。





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