Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 放大/轉換
 
 
放大/轉換  

高溫及靜態高電壓放電測試對氮化鎵GaN紫外光偵測器造成的影響

上網時間: 2005年08月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:中山科學研究院  國立中央大學電機工程學系  High Temperature  HT  Electrical static discharge 

以MOCVD汽相磊經成長法生長之GaN氮化鎵紫外光偵測元件用以偵測紫外光波段,其具有廣泛的國防軍事及工業上等多方面的用途,由於氮化鎵材料具寬能隙(wide-bandgap)特性,具有極高的化學安定性,耐腐蝕性,耐熱衝擊性;但是甚少文獻談論到在高溫及靜態高電壓放電(ESD test)等環境測試對元件實際所造成的影響;實驗結果證明,元件暗電流隨著溫度的升高上升有限,但是元件在經過多次靜態高電壓放電之後,暗電流明顯上升,所獲得到的光電流亦將明顯降低;在此同時,元件在經過靜態高電壓放電測試之後,光響應值及波段鑑別率(360nm/400nm)亦將明顯降低;我們的元件在崩潰電壓4500V時,才會造成元件的失效。

請下載PDF文件,以取得更多訊



投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 高溫及靜態高電壓放電測試對氮化鎵GaN...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首