Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

Seiko Epson的TFT-SRAM可在低電壓下高速執行

上網時間: 2005年10月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:seiko Epson  flexible tft-sram  記憶體  精工愛普生  Epson 

日本Seiko Epson公司推出首款TFT-SRAM (16Kb),產品的電源電壓為3V至6V,存取時間短,它在可撓性基底上整合了感應放大器,每個單元包括六個電晶體,此項產品可作為該公司非同步8位元微處理器ACT11的記憶體

為了開發這款TFT-SRAM,Epson將該記憶體的所有電路模組整合在塑料基底的單晶片上,這樣可使TFT-SRAM在低電壓下高速執行。該公司一直致力於開發小型節能電子元件,現在開始注重薄而輕的可撓性元件開發,新近開發的低溫聚合矽技術採用薄膜成型技術和SUFTLA,可將TFT電路從玻璃基底轉換到可撓性基底上。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Seiko Epson的TFT-SRAM可在低電壓下高...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首