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austriamicrosystems推出CMOS製程DFM參考設計流程

上網時間: 2005年11月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DFM  可製造性設計  reference design  參考設計  CMOS 

austriamicrosystems公司的Full Service Foundry部門近日宣佈,推出0.35微米高壓CMOS製程可製造性設計(DFM)參考設計流程。該參考設計流程利用了特殊的類比高壓DFM工具,如電路設計及佈局的性能檢測、良率最佳化、寄生模擬(parasitic simulation)及安全作業區檢查,同時還將提供完整的設計支援,包括向製造商提供可供選擇的類比高壓DFM指導方針和DFM設計評價。

這種高壓CMOS製程(H35)採用類比/混合訊號技術,是最新一代的先進HV MOS裝置,可提供20V和50V的電壓以及非常低的阻抗。H35應用場合很多,包括電源管理、發動機控制、列印頭驅動器、DC/DC轉換器、開關電源、LCD驅動器以及背光控制器。

該公司的處理器設計配套工具在整個設計過程中,充分集合了DFM的特色及優勢。它擁有完整的晶片資格標準單元、週邊單元及通用模擬單元,如比較器、運算放大器以及低功率A/D和D/A轉換器。此外,該公司還表示,他們的定製類比及RF元件、Assura和Calibre的實體驗証標準裝置也同樣像電路模擬模型一樣,可以快速設計複雜的高性能混合訊號IC。

設計配套工具套件含的所有的I/O構架都符合矽認証(silicon-validated),以及軍用ESD和JEDEC閉鎖(latch-up)標準。全部的H35技術I/O庫均由超過1800個單元構成,並支援3.3V和3.3V/5V的設計方案。該高壓CMOS製程及它的庫內含超過2400個核心和週邊單元。





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