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功率技術/新能源  

IR推出新型低導電損耗的DirectFET MOSFET

上網時間: 2005年11月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  IRF6648  隔離式DC-DC轉換器  同步整流插槽  RoHS 

國際整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V),據稱導電損耗可比同類解決方案減少30%。

單個採用SO-8封裝的IRF6648,其性能與兩個並聯的同類增強型SO-8元件相似。IRF6648適用於電信及網路系統的隔離式DC-DC轉換器。該元件的封裝技術具有的良好散熱設計和雙面冷卻能力。如果將IRF6648用於48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉換器的次級,功率密度可由每平方英吋72W增加15%。

IR中國大陸及香港銷售總監嚴國富指出:「我們擴充了中壓DirectFET MOSFET系列產品,這使得電源設計人員可以有更多的元件選擇去改善隔離式DC-DC轉換器的初級和次級插槽的性能。IRF6648是一種多功能元件,適用於36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC匯流排轉換器、24V輸入初級正向主動箝位電路和48V輸出AC-DC主動ORing系統。」

IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利,它集中了標準塑料分離封裝所不具備的一系列設計優點。其中的金屬罐構造能發揮雙面冷卻功能,使降壓轉換器的電流處理能力增加了一倍。另外,DirectFET封裝的元件均符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)的要求。IRF6648 DirectFET MOSFET現已供貨。IR還提供部份設計工具和應用指南。





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