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Honeywell與鉭金屬供應商簽署專利授權

上網時間: 2005年12月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:霍尼韋爾    Ta  材料  專利授權 

Honeywell公司旗下電子材料(Electronic Materials)部門日前與Cabot公司就針對半導體產業的(Ta)材料和產品簽署了一項全球專利交叉授權協議。Cabot是一家鉭金屬供應商,Honeywell則是用於生產半導體晶片的鉭實體氣相沈積(physical vapor deposition,PVD)濺鍍靶材(Sputtering Targets)的製造商。

該項協議將使雙方能夠利用更加廣泛的鉭專利合併組合,以便為半導體製造業客戶提供最佳服務。專利合併組合包括與高純度鉭金屬和濺鍍靶材的生產相關的14項全球專利。在先進設計中,銅互連線(Copper Interconnect)是作為可在晶片中傳導電流的極其精細的金屬線,使用頻率日益增加;而鉭對於半導體製造業亦變得日益重要。製造商將鉭金屬作為阻擋層,防止銅有害地擴散進周邊材料。

將金屬應用於晶片生產的最常見的方法之一是利用PVD製程,濺鍍靶材中的金屬作為一層薄膜在晶片上蒸發和沈積。Honeywell電子材料是針對半導體產業的濺鍍靶材製造商,擁有並經營著自身的金屬精煉和淨化淨化製程,確保為該產業提供精細到次微米水平的產品控制。此外,Honeywell還製造和供應用於提高PVD制程效率的線圈組,以及在擴散爐中用於十分精確的感溫設備的貴金屬熱電偶。





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