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技術突破讓EUV可望成為下一代晶片加工技術

上網時間: 2005年12月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:EUV  紫外線  extreme ultraviolet  微影  lithography 

德國Xtreme Technologies GmbH日前宣稱在提高EUV光源的功率輸出上超越了目標,以尋求將甚EUV微影導入到晶片製造。Xtreme聲稱在原理實驗中,從計畫一開始的大約120瓦,研製出800瓦功率的EUV光源。對於量產中的EUV,功率輸出到2010年左右必須要達到接近1千瓦。

EUV微影可望成為下一代晶片加工技術,採用13奈米波長的流明,使晶片製造商能在積體電路上印刷32奈米及更小的特色尺寸。Xtreme是Lambda Physik AG和Jenoptik的合資企業。Lambda Physik的股份於2005年被日本的Ushio公司收購。為期36個月的該計畫屬於被稱為「More Moore」的歐洲EUV計畫的一部份,於2004年初啟動,由荷蘭的ASML公司負責。

盡管面臨許多包括功率輸出和光學在內的技術挑戰,EUV仍然不斷取得進展。Carl Zeiss SMT表示,已向ASML提供了首套針對EUV微影的光學系統。ASML正開發兩套Alpha EUV微影工具,以在第二季分別提供給比利時的IMEC研究中心和紐約Albany大學奈米技術分校。

(Mark LaPedus)





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