Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

聖誕前夕DDR需求升高 NAND反下跌

上網時間: 2005年12月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DRAMeXchange  聖誕  DRAM  eTT  UTT 

DRAMeXchange新發佈報告,聖誕前夕DRAM現貨市場供給已開始吃緊,從而刺激DRAM買氣,特別是eTT (UTT)顆粒以及Hynix 512Mb 64Mbx8。另外,本星期的NAND Flash現貨價仍處於下跌,相較於上星期,低容量顆粒價格跌速已趨緩,但高容量顆粒,特別是16Gb的價格則有跌幅增大情況。

DRAMeXchange指出,12/14至12/20日,DDR 32Mbx8 400MHz的價格已2美元上漲至2.11美元。DDR 512Mb 64Mbx8則從3.85上漲至4.16美元。而上週DDR eTT 256Mb從1.86上漲至2.02美元,DRAM買家也開始對DDR2感興趣,目前DDR2 512Mb NMB價格約3.03美元,DDR2顆粒則維持在3.72美元。

自12月以來,聖誕前夕訂單大幅帶動現貨市場對DRAM的需求。但隨著DRAM價格下跌過快與多數DRAM製造商不願以過低價格供貨,供給因而逐漸吃緊。12/7~12/13主要DRAM顆粒的價格並沒有太大波動;而上周DRAM價格不跌反漲,造成許多通路商屯貨,因而在12/16日使DRAM價格達到高峰。

在DDR價格上漲的鼓勵下,三星也嘗試提高SDRAM顆粒價,包括SDRAM 1Mx16、4Mx16及8Mx16。然而,SDRAM需求並沒有浮現,且交易情況也轉為平淡。最終的成交價維持不變。

在NAND Flash市場方面,DRAMeXchange指出,主要需求來自於記憶卡製造商。由於低容量1Gb至4Gb NAND Flash的價格連續下跌,促使製造廠在現貨市場中搜貨來供給聖誕節前的最後幾批訂單。儘管現貨價格跟隨需求升高,但需求會被上揚的價格立即壓低,最後現貨價格又會下跌以刺激買氣。

16Gb顆粒跌幅顯著的原因是最近16Gb的供給量大幅增加,但是卻沒有相對的需求,因而導致價格跌落至74.56美元。這個價格已經低於小型客戶的合約價,而趨近於中型客戶的。由於現貨價已跌破一些客戶的合約價,導致16Gb NAND Flash本週現貨市場上乏人問津。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 聖誕前夕DDR需求升高 NAND反下跌
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首