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IR發表新款PoE應用MOSFET解決方案

上網時間: 2005年12月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:國際整流器  IR  IRF4000  MOSFET  HEXFET 

國際整流器(International Rectifier,IR)推出IRF4000型100V額定元件,將4個HEXFET MOSFET整合於一個功率MLP封裝,以迎合乙太網路供電(Power-over-Ethernet,PoE)應用的需要。新元件符合網路和通訊基礎設施系統的IEEE 802.3af標準規格,例如乙太網交換器、路由器和集線器等,提供每埠15W的功率,並可取代4個獨立的SOT-223封裝MOSFET。號稱可節省80%的電路板空間。

IR指出,PoE卡上每個埠都需要本身的MOSFET,相對於在相同電路中使用個別MOSFET的解決方案,IRF4000可減少零件數目,在一個48埠系統中節省36個插入元件。而新款MOSFET操作起來有如一個熱插拔的場效應管,透過受控制的路徑把電力由電源供應設備傳送至用電裝置。ST強調,由於該元件必須在線性區域操作且環境又相當嚴峻,因此必須設置一個高度穩健的安全操作區(SOA)。

IRF4000採用低跨導的矽技術,結合於約1°C/W的封裝熱阻性,在線性區操作時能以高效率把熱量移除。該元件並且經過全面的電力和熱特性化,在IEEE 802.3af操作狀態下也可維持正常操作。IR表示,相較於個別SOT-223 MOSFET,IRF4000能實現高出56%的元件安全操作區,以改善系統的可靠性和熱能裕度。除了適用於48埠系統,新元件並適用於96埠應用或更小型的12埠PoE Jack Companion模組;每個元件都可取代4個埠,並通過第三層工業潮濕敏感度標準。

此外,IRF4000除了符合IEEE 802.3af規格,並可支援未來的PoE Plus結構以滿足高功率負載要求。該款新產品目前已開始供應。





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