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功率技術/新能源  

Vishay功率MOSFET導通電阻僅1.9mΩ

上網時間: 2005年12月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Vishay  PolarPAK  SiE802DF  SiE800DF  功率MOSFET 

Vishay Intertechnology推出兩款採用PolarPAK封裝的N通道SiE802DFSiE800DF功率MOSFET,該封裝使用雙面冷卻,可降低熱阻、封裝電阻及封裝電感,從而實現更快速的開關功率MOSFET

SiE802DF針對同步整流直流到直流轉換器中的低端控制開關進行了優化,10V柵極驅動時最大導通電阻1.9 mΩ,4.5V時為2.6mΩ,可處理60A電流。SiE800DF針對同步直流到直流轉換器設計中的低佔空比高端MOSFET進行了優化,具有12nC的超低柵極電荷Qg,10V時導通電阻最大為7.2mΩ,4.5V時為11.5mΩ。

Vishay表示,PolarPAK可輕鬆處理及安裝到採用高速組裝設備的PCB上,能在大量生產中實現高良率。自2005年3月Vishay與意法半導體(ST)簽署使用許可協定後,目前已有多家廠商採用該封裝。

兩款功率MOSFET佔位面積均與標準SO-8封裝相同,上下表面熱阻均為1℃/W。這提供了兩條散熱路徑,使其電流密度比較SO-8高一倍。透過更高的接點-環境熱阻抗,PolarPAK功率MOSFET可處理更高功率或以更低的接點溫度操作,從而實現更低導通電阻。另外,將接點溫度降低20℃還能把使用壽命提高2~1/2倍。

新型PolarPAK元件的典型應用將包括筆記型電腦與桌上型電腦以及需要高效直流到直流轉換的其他系統中的電壓穩壓器模組。透過提供更佳熱性能以及降低與封裝相關的損失,5mm × 6mm的PolarPAK封裝可使設計人員利用更少的元件數建構更小、更緊湊的電路設計。





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