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UMC開發出特殊間隙壁製程新技術

上網時間: 2005年12月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:聯華電子  UMC  特殊間隙壁製程  Ultimate Spacer Process  USP 

聯華電子(UMC)宣佈該公司已發展出特殊間隙壁製程(Ultimate Spacer ProcessUSP)的應變矽技術,可同時提升N型及P型金氧半電晶體的效能。採用此特殊間隙壁製程技術,可使N型金氧半電晶體的驅動電流提高15%,P型金氧半電晶體驅動電流提高7%,同時仍維持整體製程的簡易性。

UMC表示,該項技術在結合矽基材通道工程時,更能大幅提高P型金氧半電晶體驅動電流達35%。此外,該特殊間隙壁製程應變矽新技術也已在客戶FPGA產品上驗證其效果,在相同的產品良率與可靠性品質下,已可成功增進客戶產品15%電路效能,因此也將可應用在65奈米及以下之先進製程量產使用。





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