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功率技術/新能源  

新型PolyDiode響應時間小於0.5ns

上網時間: 2006年02月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:瞬態突波  江博  umboTek  PolyDiode  ESD 

為因應各種各種電子產品對免除瞬態突波襲擊需求,江博公司(JumboTek)新開發出一款PolyDiode,其響應時間小於0.5ns,能應對ESD脈衝1ns的上升時間。該產品的箝位電壓較矽晶TVS二極體更能應付任何非預定的瞬態突波,以確保系統運作正常而不致引起IC毀損。

江博公司表示,矽晶TVS二極體能有效地將ESD引發之瞬態突波抑制到無害位準,但由於啟動時間達1.2ns,因此無法完善保護系統。而PolyDiode免除ESD瞬態突波襲擊的能力,已證明能符合IEC61000-4-2 level 4的要求,更適合作為各種應用的保護元件。

該公司指出,IEC61000-4-2靜電放電(ESD)適用於各種電子設備系統。ESD屬於最為常見之瞬態浪湧突波,其起因包括:由兩種分離之非傳導物體產生的輻射能量,經外部耦合放電進入系統的輻射耦合(Radiation Coupling);以及因系統使用者帶有電荷所引起的直接耦合(Direct Coupling)。

IEC61000-4-4高速瞬態突波電壓/流(Electrical Fast Transient EFT)則大都起因於開關或繼電器接通電流時瞬間產生的弧光放電。另外,業界使用電機械開關(Electromechanical switches)接通或切斷感應負載,會經常引發EFT致動干擾(EFI disturbances)。由於EFT脈波升起的時間為5ns,因此必須選用和抑制ESD脈波要求一致的元件。

IEC61000-4-5所代表的瞬態突波基準(Surge standard)是指針對功率和資料傳輸線路的嚴格瞬態突波條件,起因包括開關切換、改變電路連接、轉移配電系統負載或電路兩點間發生短路、增加額外電流流通量;以及電路系統直接受到閃電襲擊等。

針對以上問題,新的PolyDiode產品均符合IEC61000-4-2、IEC61000-4-4、IEC61000-4-5等測試規範,可提供高速反應和低抑制位準,適合I/O埠、數據匯流排及訊號線路等必須抑制ESD、EFT、等瞬態突波的應用。




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