ST新款功率MOSFET專為汽車市場設計

ST發表一款專為汽車市場設計的大電流功率MOSFET──STD95N04；新元件為40V的標準邏輯位準DPAK元件，最大導通電阻(RDS(on))僅6.5m歐姆，並採用專利的STripFET技術，可實現超低導通電阻。

ST表示，STripFET技術是以大幅增加的單元密度為基礎，因此能在使用更少矽晶片面積情況下，實現更低的導通電阻與降低損耗。該公司其他目前開發中的功率MOSFET均採用相同技術，以滿足DPAK (4.5V時30V、邏輯位準、4.5m歐姆)，以及D2PAK (10V時40V、標準還輯位準、2m歐姆)的標準需求。

STD95N04這款80A的元件，適用於DC-DC轉換器、馬達控制、螺線管驅動器與ABS系統。新元件並符合針對分離式半導體元件的AEC Q101壓力測試規範，該規範由汽車電子協會(Automotive Electronics Council，AEC)旗下的元件技術委員會，針對應用於汽車環境中之元件所設立的標準。根據該標準，最高操作溫度為175℃。

目前新產品已開始量產，有DPAK與TO-220等封裝版本可供選擇。