Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 功率技術/新能源
 
 
功率技術/新能源  

Infineon第二代Schottky二極體採SiC技術

上網時間: 2006年03月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英飛凌  Infineon  Schottky二極體  SiC  thinQ!TM2G 

英飛凌科技(Infineon)推出採用矽碳化物(SiC)技術的第二代Schottky二極體──thinQ!TM2G家族產品,號稱可提供超越前一代產品的轉換交換(switching)功能。該公司表示,新產品的衝擊(surge)電流較第一代產品至少加強了一倍,因此能處理更高的起動流入電流以及過電流,適合在交換式電源供應器(SMPS)上的PFC (Power Factor Correction)之應用。

Infineon指出,矽碳化物是高壓阻隔功率半導體的理想的材料,與其他Schottky二極體相比,能提供更高的Schottky障礙以及高的崩潰電場,其熱傳導性與銅相當。而這些特性可提供低洩漏電流、低開啟後之電阻,並改善散熱。矽晶和砷化鎵Schottky二極體的阻隔電壓約200至250 volts,而矽碳化物二極體的電壓範圍則可超過1,000 volts。

一般會採用加強(boost)轉換器以達到動態的PFC,主要有兩種作法,一是不連續電流模式(Discontinuous Current Mode,DCM),另一個則是連續電流模式(Continuous Current Mode,CCM)。Infineon指出,CCM解決方案需要一個非常快速的二極體,但可以提供許多優點,例如大量減少最高發生電流,因此可以使用比較小的被動式零組件、功率轉換電路和較簡單的EMI濾波器。

SiC Schottky二極體適合應用在CCM PFC,因為和其他Schottky二極體相比,可提供較高工作電壓,而且不會出現矽晶二極體的逆向還原和相關的高功率損失;並可搭配低成本的MOSFET。此外,由於其轉換效能是獨立於順向電流、交換速度和溫度等之外,因此Infineon表示,在推出第二代SiC Schottky二極體後,採用混合式的PIN-Schottky架構將可改善電流負載和電壓負載的特性。

Infineon新款SiC Schottky二極體已開始供應樣品,其阻隔電壓(blocking voltage)為600 volts,採用小型TO (Transistor Outline)-220和TO-252 (D-Pak, MSL3)封裝。




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - Infineon第二代Schottky二極體採SiC技...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首