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ST發佈採PolarPAK封裝的20A/30A功率MOSFET

上網時間: 2006年05月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:STMicroelectronics  ST  PolarPAK  功率MOSFET  意法半導體 

意法半導體(ST)發佈以頂部金屬PolarPAK封裝的功率元件:STK800、STK850,增強了熱量性能、提升了大電流電源使用組件的功率密度。新元件分別為20A/30A功率MOSFET,以標準SO-8封裝,僅需要5mm×6mm板空間,因頂部與底部的熱耗散通道其高度僅為0.8mm。

去年3月,ST與Siliconix就使用PolarPAK技術方面達成了協議。新封裝的導線架與塑料密封類似於多數標準功率MOSFET封裝,確保了良好的晶片保護與製造的易處理。與標準SO-8相較,PolarPAK的熱耗散非常有效,它能在相同的占位面積內處理兩倍電流。

新元件以ST所有的最新STripFET技術製造,該技術採用提升的單元密度與更小的單元特色,占用了更小的晶片空間,同時實現極低的片上阻抗與損耗。10V時,20A STK800典型的RDS(on)值為6.0mOhm,30A STK850的RDS(on)值為2.9mOhm。該封裝透過提供超低的結到外殼熱量阻抗與更低的結溫確保兩個MOSFET的低片上阻抗特色。

低電容器與總閘電荷數,使STK800成為非絕緣DC/DC壓降轉換器中控制FET的理想選擇,而極低的RDS(on)值使STK850成為同步FET解決方案之一。產品的低工作溫度確保了更高效率,並增加了壽命可靠性。新的封裝改善了晶片保護、確保了製造的易處理,並維持與現有SMD裝配設備相容。元件的多源相容為客戶提供了充足的靈活性。




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