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IEK:2011年PCM可望取代NOR Flash

上網時間: 2006年05月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NOR  NAND  PCM  快閃記憶體  相變記憶體 

NOR快閃記憶體正面臨多種新興記憶體技術的挑戰,除NAND快閃記憶體外,相變記憶體(PCM)也正苦苦追趕。工研院IEK分析師陳俊儒日前表示,「最快在2011年,PCM的價格就會趕上NOR快閃記憶體,屆時DDR迅速取代DRAM的歷史可能會在這兩種記憶體上重演,而主要應用領域將集中在通訊市場,例如手機。」

陳俊儒引述國際半導體技術藍圖(ITRS)的2006年預估資料指出,就單元尺寸來看,PCM將在2011年追上NOR快閃記憶體,屆時將有機會出現大量取代的局面。但他也指出,就單元尺寸微縮進度來看,PCM仍無法取代NAND快閃記憶體市場,除非NAND的微縮技術面臨極限。

不過,這仍為PCM擘畫了良好前景。「從單元尺寸的微縮情況看,2005年PCM、NOR與NAND的單元尺寸分別為0.1400um2、0.06402與0.02312;但預計在2020年,它們的單元尺寸將分別微縮到0.00112、0.00262與0.00072,」陳俊儒說。

單元尺寸與晶片製造成本是影響記憶體每位元成本的兩大關鍵要素,PCM大幅減小單元尺寸後,將更具備取代NOR快閃記憶體的優勢。據市調公司Gartner今年第一季發佈資料,2005年NOR快閃記憶體營收約72億美元,其中71.1%集中在通訊應用。而隨著可攜式通訊市場發展,對此類記憶體的需求將持續擴大。

另外,IC Insights也預估,到2010年,手機對內建記憶體的需求量將從2005年的256Mb躍升到1Gb以上,而因應影音資料的應用,對數據寫入/讀取速率的需求也將從現有的64~144Kbps提升到高於10Mbps。這意味著手機對記憶體的容量及效能需求愈來愈嚴苛。在可預見的未來,快閃記憶體的微縮瓶頸已然浮現,這為新興記憶體技術挑戰市場提供了新的機會。

「目前開發PCM的廠商中,以Ovnyx最具技術領導地位,在美國所獲取的專利數也最多,」陳俊儒表示。但三星(Samsung)也不容忽視,去年該公司發佈了256Mb的PCM,「若以三星現已佔據全球最大DRAM、SRAM與NAND快閃記憶體供應商排名情況來看,若該公司挑戰PCM市場成功,則將囊括所有主流記憶體市場。」

而面對大廠以核心技術及專利佈局PCM市場態勢,陳俊儒指出,台灣廠商開發Stand-alone PCM將遭遇極大挑戰,因此,他建議應更著重在嵌入式PCM領域,以設計簡單、非揮發性及大容量的嵌入式PCM切入通訊市場;另外,台灣廠商也應著重於申請新元件架構專利,並以尋求和技術領先廠商相互技術授權的策略佈局市場,以避免專利衝突風險,並降低進入PCM市場的困難度。

作者:鄧榮惠 / 電子工程專輯




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