IEK：2011年PCM可望取代NOR Flash

NOR快閃記憶體正面臨多種新興記憶體技術的挑戰，除NAND快閃記憶體外，相變記憶體(PCM)也正苦苦追趕。工研院IEK分析師陳俊儒日前表示，「最快在2011年，PCM的價格就會趕上NOR快閃記憶體，屆時DDR迅速取代DRAM的歷史可能會在這兩種記憶體上重演，而主要應用領域將集中在通訊市場，例如手機。」

陳俊儒引述國際半導體技術藍圖(ITRS)的2006年預估資料指出，就單元尺寸來看，PCM將在2011年追上NOR快閃記憶體，屆時將有機會出現大量取代的局面。但他也指出，就單元尺寸微縮進度來看，PCM仍無法取代NAND快閃記憶體市場，除非NAND的微縮技術面臨極限。

不過，這仍為PCM擘畫了良好前景。「從單元尺寸的微縮情況看，2005年PCM、NOR與NAND的單元尺寸分別為0.1400um²、0.0640²與0.0231²；但預計在2020年，它們的單元尺寸將分別微縮到0.0011²、0.0026²與0.0007²，」陳俊儒說。

單元尺寸與晶片製造成本是影響記憶體每位元成本的兩大關鍵要素，PCM大幅減小單元尺寸後，將更具備取代NOR快閃記憶體的優勢。據市調公司Gartner今年第一季發佈資料，2005年NOR快閃記憶體營收約72億美元，其中71.1%集中在通訊應用。而隨著可攜式通訊市場發展，對此類記憶體的需求將持續擴大。

另外，IC Insights也預估，到2010年，手機對內建記憶體的需求量將從2005年的256Mb躍升到1Gb以上，而因應影音資料的應用，對數據寫入/讀取速率的需求也將從現有的64~144Kbps提升到高於10Mbps。這意味著手機對記憶體的容量及效能需求愈來愈嚴苛。在可預見的未來，快閃記憶體的微縮瓶頸已然浮現，這為新興記憶體技術挑戰市場提供了新的機會。

「目前開發PCM的廠商中，以Ovnyx最具技術領導地位，在美國所獲取的專利數也最多，」陳俊儒表示。但三星(Samsung)也不容忽視，去年該公司發佈了256Mb的PCM，「若以三星現已佔據全球最大DRAM、SRAM與NAND快閃記憶體供應商排名情況來看，若該公司挑戰PCM市場成功，則將囊括所有主流記憶體市場。」

而面對大廠以核心技術及專利佈局PCM市場態勢，陳俊儒指出，台灣廠商開發Stand-alone PCM將遭遇極大挑戰，因此，他建議應更著重在嵌入式PCM領域，以設計簡單、非揮發性及大容量的嵌入式PCM切入通訊市場；另外，台灣廠商也應著重於申請新元件架構專利，並以尋求和技術領先廠商相互技術授權的策略佈局市場，以避免專利衝突風險，並降低進入PCM市場的困難度。

作者：鄧榮惠 / 電子工程專輯