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因應NAND旺盛需求 東芝擬擴充快閃記憶體產量

上網時間: 2006年05月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NAND快閃記憶體  NAND flash  半導體  production  memory 

東芝公司日前表示,計畫在三年內投資180億美元,一半用於半導體,主要是擴充NAND快閃記憶體產量。東芝總裁暨執行長Atsutoshi Nishida表示,將增加NAND快閃記憶體產量,將兩座新工廠的產能擴大至兩倍。

4月初,東芝及其NAND合作夥伴SanDisk公司披露了Fab 4的計畫。Fab 4將月產10萬片晶圓,預計2007年第四季開始運作。東芝還確認了在別處興建第二座生產廠Fab 5的計畫。Fab 5預計將於2008年會計年度開始運作,東芝和SanDisk將分享所有權。

對於可能產能過剩的擔心,Nishida回應說:「儘管我們半導體事業部的預算約有1兆日元,我們將根據市場狀況決定實際投資額。但我們預計,NAND的未來需求將嚴重短缺。」

東芝預計NAND快閃記憶體市場將在2008年由今年的170億美元增至230億美元。電子設備的銷售預計將年增18%,由目前會計年度的146億美元成長至2008會計年度的206億美元。




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