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Atmel針對代工客戶推出高壓CMOS製程技術

上網時間: 2006年06月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:EEPROM  AT35700  CMOS  雙層多晶矽  CMOS製程 

Atmel宣佈針對整合電路代工客戶推出具有雙層多晶矽高密度EEPROMAT35700高壓處理技術。該0.35微米技術擁有能在17V和40V時運作的LDMOS電晶體,並具有一個5V低洩漏CMOS磁心,符合可攜式電子設備應用需求。

Atmel表示,該技術包括獨立NMOS和LDMOS電晶體,可實現電路噪音最小化,此外並可選擇內建模擬電阻器和電容器,以減少外部零件的需求;該技術並支援焊墊(bond pad)下的ESD和I/O電晶體放置。

此外該技術具備Atmel的雙層多晶矽高密度儲存單元。該單元可用於創建平行、串列或準快閃記憶體記憶設計,其內置的EEPROM可提供監控和控制應用所需的大容量數據儲存能力,無需額外的儲存晶片。

該高電壓處理技術適用於混合信號、功率管理、發動機和運動控制,以及汽車監控和控制應用,現已上市。




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