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ST著手進行MEMS記憶體研究計畫

上網時間: 2006年06月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MEMS  記憶體  ST  相變化記憶體  ARS 

意法半導體(ST)正在研究一種以微電機系統(MEMS)為基礎的資料儲存技術,該技術有機會成為奈米級非揮發性記憶元件;ST並正針對該技術進行一項歐洲合作研究計畫。

意法技術與製造執行副總裁Laurent Bosson表示,該公司已啟動一個關於所謂的「探針儲存(probe storage)」MEMS記憶體元件開發計畫;他還表示,與重要夥伴的聯合開發計畫也正在進行中。該公司半導體前端技術與製造部門副總裁Orio Bellezza則表示,意法半導體將來在MEMS探針儲存方面的路線可能類似於惠普(HP)的原子量級儲存(Atomic Resolution Storage,ARS)樣品。

Bellezza指出,意法半導體與惠普曾在開發噴墨列印頭時聯合研究過MEMS;雖然ARS計劃基於聚合體儲存介質(polymeric storage medium),但確定適合商業化的最佳儲存介質,將是意法的歐洲研究計劃的重點課題之一。

Bellezza對《EE Times》表示:「有三種可供選擇的材料系統,即相變化記憶體(phase-change memory)所採用的聚合體和硫化物(chalcogenide),以及鐵電(ferroelectric)物質。」

(原文連結處:ST prepares MEMS memory research project)

(Peter Clarke)




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