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進軍ISM市場 飛思卡爾推六款新元件

上網時間: 2006年06月16日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Freescale  RF  超模壓塑膠封裝  ISM  LDMOS 

飛思卡爾半導體(Freescale)日前表示,將以新開發的高電壓RF功率技術,以及符合成本效益的超模壓塑膠封裝技術展工業、科學及醫療(ISM)市場。該公司同時發佈了一系列針對HF/VHF頻帶(10-450MHz)及2.45GHz ISM頻帶所設計的電晶體,希望將其在通訊及封裝領域的技術延伸到ISM市場。

飛思卡爾針對HF/VHF與2.45GHz ISM頻帶市場分別推出了六款新元件。針對位在10∼450MHz間的HF/VHF頻帶,飛思卡爾提供了三款使用VHV6 50V LDMOS技術的電晶體,包括旗艦產品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB (150瓦、69%效應比及25dB增益值),以及MRF6V2010NB (10瓦、68%效應比及25dB增益值)。

其中旗艦級ISM產品MRF6V2300NB是一款300瓦、使用50V LDMOS的電晶體,其操作頻率達450MHz,並以TO-272-WB-4超模壓塑膠方式封裝。該元件的增益比達27dB、效率達68%,能讓ISM系統設計者省下任何增益層級,因而降低整體系統成本、並簡化電路板面積。該元件的強固容忍度達10:1的VSWR。

而在2.45GHz的ISM頻帶方面,飛思卡爾則提供了另外三款使用28V LDMOS技術的元件:MRF6P24190H (190瓦、46%效應比及13dB增益值)、MRF6S24190H (140瓦、46%效應比及13dB增益值),以及MW6IC2420NB (兩段式20瓦、21%效應比及21dB增益值)。

此次發佈的新元件是以該公司50V VHV6 RF LDMOS技術(第六代超高電壓RF橫向擴散金屬氧化半導體,LDMOS)為基礎。該技術是以飛思卡爾的28V LDMOS技術進行改良而成的50V版本。將LDMOS技術的供電壓提升至50V,將使設計師能夠取得更高的功率。此外,超模壓塑膠封裝元件也提供了更符合成本效益的ISM解決方案。

飛思卡爾表示,其超模壓塑膠封裝技術將讓客戶開發出極具成本效益的ISM應用,如電漿產生器(plasma generators)及核磁共振攝影(magnetic resonance imaging,MRI)系統等。目前六款元件均已開始提供樣品上市,而三種2.45GHz的元件亦已量產。MRF6V2150NB預計於2006年8月全面量產,MRF6V2300NB與MRF6V2010NB也預計於2006年第四季量產。




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