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RFMD推出GaN高功率電晶體系列產品

上網時間: 2006年06月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:RFMD  GaN  HEMT  高功率電晶體  WiMAX 

RFMD發表其Gallium Nitride (GaN)高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor,EMT)高功率電晶體產品系列,並宣佈已提供樣品予多家手機廠商及WiMAX基地台客戶。新產品為RFMD 0.5um GaN高功率電晶體系列成員。

RFMD新款高功率電晶體裝置,號稱具備優良的峰值汲極,於UMTS時效益達67%,WiMAX頻帶時則達60%,具備16dB之高增益、於28V時高功率密度達4W/mm以及1,000小時的高溫度可靠性。

新款GaN HEMT 電晶體,在無線手機市場針對UMTS或3G基地台應用的產品包括RF3820 (8W)、RF3912 (60W)、RF3913 (90W)及RF3914 (120W)。針對新興的WiMAX基地台則包括2.5GHz RF3916 (50W)、RF3917 (75W)、RF3918 (100W)及3.5GHz RF3821 (8W)、RF3919 (50W)。




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