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浸潤式微影技術瓶頸將至 業者尋解決之道

上網時間: 2006年06月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:immersion lithography, 

193奈米沈浸蝕刻的高折射指數材料,將使浸潤式(mmersion)技術在32奈米節點遭遇瓶頸。據專家說法,先進的193奈米浸潤式微影(immersion lithography)工具,採用折射率為1.44的非離子水(de-ionized water),預計能處理節點小至32奈米的晶圓。ASML、Cannon、Nikon正在開發193奈米浸潤式掃描儀,預計相關客戶將在45奈米或32奈米節點使用該工具。

而杜邦(DuPont,)、JSR等公司,則正在研發針對193奈米浸潤式微影的「非水(non-water)」方案,或所謂的高折射率材料。許多方案聲稱具有1.64的折射率,使193奈米浸潤式掃描儀能延伸至32奈米節點以上。但許多人認為這些材料不可行。

台積電(TSMC)即指出,有人一直在研究水以外的液體用於浸潤式微影,但迄今仍未有任何成果。因此半導體產業開始為32奈米及以上節點找尋眾多的下一代微影技術技術,包括:直接寫入電子束(direct-write e-beam)、EUV (extreme ultraviolet)、奈米印刷(nano-imprint)等等。

TSMC希望在22奈米製程採用直接寫入電子束工具,該公司同時指出EUV也是一種可能性。

(原文連結處:Roadblocks seen in immersion lithography)

(Mark LaPedus)




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