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英飛凌針對高頻應用發表新一代LDMOS製程技術

上網時間: 2006年06月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Infineon  LDMOS  功率放大器  RF  MCPA 

英飛凌(Infineon)在MTT國際微波研討會上,展示了下一代LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)製程。該製程可用來製造無線網路基地台和中繼器功率放大器等產品的高功率RF電晶體;除可滿足高速無線接取網路的要求,新製程在功率密度方面號稱較英飛凌現有製程生產的設備高出25%。

英飛凌指出,新推出的LDMOS製程可提升最新MCPA (多載波功率放大器)和數位預失真系統的性能。採用這種全新製程,可以製造出工作頻率高達3.8GHz的電晶體;該頻率位於WiWAX和IEEE 802.16規定的無線接取頻帶之內,高於採用上一代製程生產的電晶體(2.7GHz)。功率密度(即單位面積的矽片可產生的功率量)也增加了25%。

除提高增益外,這種製程還能使線性放大器在回退作業模式下的效率比現有產品提高3個百分點,這不僅減少了所需組件的數量,而且降低了組件功耗,因此降低了蜂巢式基地台的制冷要求。

同時英飛凌表示,採用新製程製造的電晶體將採用低金銅塑膠開口封裝,可降低系統整體成本並提高散熱和射頻性能。首批採用新製程的產品預計2006年底上市。




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