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控制技術/MCU  

Intel將於2009年推出三閘電晶體技術

上網時間: 2006年06月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Intel  三閘電晶體  應變矽  金屬閘 

英特爾(Intel)定於2009年採用32奈米技術節點推出三閘電晶體(trigate transistors)。採用這種新型的3D電晶體結構,英特爾期望實現顯著的功率節省及性能改進目標。在VLSI技術論壇開幕前一天,英特爾公佈了該電晶體的細節。據英特爾元件研究總監Mike Mayber指出,該公司在新電晶體內成功整合了高K介電質、金屬閘電極和應變矽

該電晶體消耗的功率明顯低於目前的平面型電晶體。據Mayberry表示,三閘電晶體實現更好的切斷電流(off-current),因此IC將耗費更少的洩漏功率。高K值金屬閘也減少功率耗散,同時實現更快速度。

Mayberry指出,與最新的65奈米電晶體相較,新型電晶體速度將提升45%,切斷電流減少50%。採用新電晶體的處理器以常速消耗35%的總體功率。

英特爾計劃採用這種電晶體結構作為45奈米節點以上未來微處理器的基本建構模組,這意味著即將到來的65奈米和45奈米節點將以常規方式實現。英特爾預計2009年量產32奈米元件,2011年生產22奈米元件。

(原文連結處:Intel to use trigate transistors from 2009 on)

(Christoph Hammerschmidt)




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