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Soitec首款商用化應變絕緣矽基板問世

上網時間: 2006年07月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Soitec  Freescale  65奈米  應變絕緣矽  sSOI 

Soitec公司表示,其應用於65奈米線寬以下製程的應變絕緣矽(sSOI)晶圓已經上市,並成為首款因應未來需求而量產的商業基板。該公司表示,在結合應變絕緣矽的高遷移速度優勢,以及絕緣層上覆矽具備的高速與低功率耗損特性後,新的應變絕緣矽晶圓設計預計將為新一代晶片帶來更多效能及功率優勢。

Soitec是絕緣層上覆矽(SOI)晶圓與其他半導體生產用工程基板的製造商,該公司指出,新的絕緣層上覆矽基板將瞄準網路處理、運算、遊戲及高階無線產業內的進階應用。對這些應用來說,速度及極低功率十分重要。除了讓晶片製造商可以更進一步擴大產品的效能與功率優勢外,Soitec的新應變絕緣矽晶圓也將是可延伸的平台。

應變絕緣矽技術的發明公司飛思卡爾半導體(Freescale)表示,在不影響持續提升電晶體效能的情況下,控制使用中與儲備能源用量,是帶動產業發展創新的動力。應變絕緣矽技術是Freescale電晶體產品發展計劃內創新發明的範例。目前這項技術正在進行45奈米結點的評估,初期目標是網路與遊戲應用,最終將協助客戶製造出更微小、功能更強大的娛樂電子產品及智慧型可攜式裝置。

Soitec則指出,新一批應變絕緣矽基板之所以能吸引客戶的興趣,主要來自於市場與技術領導廠商希望能大幅提升電子遷移速度,同時降低閘極的漏電與耗電量。此外,應變絕緣矽可協助克服CMOS製程感應的應變技術所帶來的收縮問題,並為調整頻寬間隙打開了一扇門。

目前Soitec已為部分及完全耗盡裝置架構提供應變絕緣矽產品。由於應變絕緣矽與目前絕緣層覆矽和CMOS的製程相容,並已證實可用於多鰭狀通道電晶體(FinFET)或多閘極通道電晶體(Multigate FET)、加上顯著的遷移能力及與未來的延伸性,應變絕緣矽對65奈米以下的裝置將扮演十分重要的角色。

為達到客戶對發展中應變絕緣矽的要求,Soitec已將其300mm應變絕緣矽平台從開發轉換到第一階段的量產,這與其進一步擴展產能,以符合市場要求的策略計劃一致。該公司表示,當主流市場開始大量使用新的基板技術時,將啟動量產步驟,以符合客戶不斷演變的技術需求。




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