IM Flash初亮相　推50奈米NAND Flash樣品

英特爾(Intel)和美光(Micron Technology)推出採用50奈米製程製造的4Gb容量NAND快閃記憶體樣品。美光表示，該元件由兩家公司的合資企業IM Flash生產，計劃2007年量產各種容量的記憶體。

根據市場研究預測，NAND快閃記憶體的市場規模將在2006年達到130至160億美元，並且到2010年發展到大約250億至300億美元。美光記憶體業務副總裁Brian Shirley說：「美光在2004年進入NAND快閃記憶體業務，當時使用90奈米製程過程。在很短時間內，透過與英特爾合作，我們現在已經可以推出業界領先的快閃記憶體產品。」

自從2006年1月成立，IM Flash Technologies (IMFT)已經開始部署其製造設備。現在，美光透過自己在Boise的工廠向這家合資公司提供NAND快閃記憶體。2006年底，位於Manassas的12吋晶圓廠也將上線，為IMFT供應NAND快閃記憶體。同時，2007年初IMFT自己的工廠也將在Lehi落成，並將作為其公司總部。

(Peter Clarke)