Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

IM Flash初亮相 推50奈米NAND Flash樣品

上網時間: 2006年08月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IM Flash  NAND快閃記憶體  50奈米  NAND Flash  Intel 

英特爾(Intel)和美光(Micron Technology)推出採用50奈米製程製造的4Gb容量NAND快閃記憶體樣品。美光表示,該元件由兩家公司的合資企業IM Flash生產,計劃2007年量產各種容量的記憶體。

根據市場研究預測,NAND快閃記憶體的市場規模將在2006年達到130至160億美元,並且到2010年發展到大約250億至300億美元。美光記憶體業務副總裁Brian Shirley說:「美光在2004年進入NAND快閃記憶體業務,當時使用90奈米製程過程。在很短時間內,透過與英特爾合作,我們現在已經可以推出業界領先的快閃記憶體產品。」

自從2006年1月成立,IM Flash Technologies (IMFT)已經開始部署其製造設備。現在,美光透過自己在Boise的工廠向這家合資公司提供NAND快閃記憶體。2006年底,位於Manassas的12吋晶圓廠也將上線,為IMFT供應NAND快閃記憶體。同時,2007年初IMFT自己的工廠也將在Lehi落成,並將作為其公司總部。

(Peter Clarke)




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - IM Flash初亮相 推50奈米NAND Flash樣...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首