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功率技術/新能源  

IR推3款新型25V DirectFET MOSFET

上網時間: 2006年08月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:國際整流器  IR  DirectFET  MOSFET  VRM 

國際整流器公司(International Rectifier,IR)推出3款新型25V DirectFET MOSFET,包括IRF6622控制MOSFET,以及IRF6628和IRF6629同步MOSFET,均適用於伺服器和電信系統中的嵌入式CPU功率VRM模組,以及嵌入式DC-DC轉換器。這些應用需要高效率和更佳的導熱效能,從而提高功率密度。

IRF6622控制MOSFET的閘電荷相當低(Qg=12nC),有助減少交換損耗。IRF6628和IRF6629同步MOSFET經過最佳化,不但擁有低傳導損耗,導通電阻(RDS(on))也相當低,分別只有1.9m和1.6m。IRF6622採用小罐DirectFET封裝和SQ佔位面積;IRF6628和IRF6629採用中罐DirectFET封裝和MX佔位面積。

這些25V DirectFET特別針對每相位20A至30A的設計。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位設計中,假如在每相位採用1對IRF6622和IRF6628,再配合IR XPhase晶片組,就可以在130A下達到88%的效率。在相同情況下,IRF6622和IRF6629的組合效率在130A下可達88.5%。

IR表示,這些25V DirectFET元件能滿足12V應用需求,因為它們比競爭的20V元件具有更充裕的電壓空間,功率損耗也比擁有相同動態矽區的30V元件為低。目前IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET已開始供貨,均符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。




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