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SoC製程跨入45nm節點 2008實現量產

上網時間: 2006年08月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:松下  Matsushita  瑞薩  Renesas  45奈米 

松下電器(Matsushita Electric Industrial)與瑞薩科技(Renesas)宣布,已成功整合測試45奈米的系統單晶片(SoC)半導體製造技術。該技術是完全整合氬氟ArF (argon-fluoride)浸沒式掃瞄器與光隙數值1.0或更高的技術。兩家公司在2005年10月開始合作45奈米的製程開發計劃,同時兩家公司自1998年即開始合作前一代的生產製程開發計劃。

目前的聯合開發計劃將於2007年6月完成,並預計在2008年初開始量產。全新45奈米製程將由松下和瑞薩共同使用,生產高階行動產品和消費性網路電子產品的系統單晶片。除了高階氬氟浸沒微影技術外,兩家公司也計劃引進其他新技術,使其成為開發計劃的一部份,包含引流高遷移率電晶體(Introduced-strain high-mobility transistor)和ELK (K=2.4)多層次線路模組。

氬氟ArF浸沒式掃瞄器是藉由液體填滿投射鏡片和晶圓間的空隙,增加鏡片有效直徑的技術。引流高遷移率電晶體是透過引進局部應力(localized stress)至電晶體中,以增加電流驅動容量的技術。而LK (K=2.4)多層次線路模組則是利用低相關電容率的層間絕緣薄膜,進行多層銅線繞線的技術。

兩家公司在1998年首次同意合作開發下一世代系統晶片技術,當時瑞薩科技尚未成立。新計劃是雙方第五階段合作的一部份,該計劃始於2005年10月。雙方共同開發計劃中的顯著成果包含在2001年完成130奈米的DRAM合併製程、2002年的90奈米系統晶片製程、2004年的90奈米DRAM合併製程,以及2006年的65奈米系統單晶片製程。




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