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Carl Zeiss與Seiko共同研發半導體材料分析設備

上網時間: 2006年08月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:半導體材料分析  Gemini電子束  聚焦離子束  FIB  NVision 40 

Carl Zeiss SMT AG公司的Nano技術系統事業部,和日本精工(Seiko Instruments)旗下的SII NanoTechnology公司合作開發出了一種顯微鏡工作站(microscopy workstation)。這兩家公司已經將此NVision 40工作站投入半導體材料分析市場。

NVision 40結合了這兩家公司的Gemini電子束技術,聚焦離子束(FIB)技術和氣體注入系統技術。它具有兩個電子偵測器,可同時探測二次電子和背向散射電子(secondary and backscattered electrons)。為了用於內部缺陷分析和奈米構型(nanostructuring)應用,該平台還具有SIINT的FIB列和一個單注射器多通道氣體注入系統。FIB可以達到4nM的解析度。

Carl Zeiss表示,NVision 40的展示品將在2006年9月問世,而系列產品系統的供應則要等到2007年1月才開始。Carl Zeiss NTS事業部過去曾為Molecular Imprints在步進快閃式壓印微影(Step & Flash Imprint Lithography,S-FIL)設備上提供過支援。

(Peter Clarke)




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