Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

NAND產能競賽 IM Flash摩拳擦掌

上網時間: 2006年08月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IM Flash  NAND Flash  300mm  12吋晶圓廠  Intel 

來自市場分析師的消息指出,由英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的NAND快閃記憶體(Flash)公司IM Flash,將在不久之後興建一座300mm (12吋)晶圓新廠,以跟上競爭對手的腳步。

Micron目前正利用其在美國愛達荷州Boise的工廠,向IM Flash供應NAND快閃記憶體。美光在維吉尼亞州Manassas的300mm工廠將在今年稍晚的時候投產,屆時也將向IM Flash供應NAND快閃記憶體。而其位於猶他州Lehi的300mm工廠,將專門用於滿足IM Flash的需求,並作為IM Flash的總部。預計該工廠將於明年初開始生產NAND快閃記憶體。

而據American Technology Research分析師Doug Freedman的訊息,另有一座醞釀多時的工廠即將成為IM Flash的第三座工廠。Freedman表示:「我們預期有關該座IM Flash新廠廠址的聲明,將在未來3~4個月內發表。」

Freedman表示,Micron Manassas工廠的周產量將上升到2萬5,000片晶圓,而Lehi工廠的產能將達到每周5萬片晶圓。但是IM Flash仍然需要繼續擴大產能,並且具備充分的理由──三星(Samsung)和Toshiba-Sandisk等對手都在擴大產能。

「IM Flash已經證明該公司在技術上的能力與衝勁,但因為Micron與Intel各有龐大的NAND Flash產能消耗量,缺乏產能對IM Flash來說會是未來發展上的一大風險。」另一市調機構Gartner Dataquest 的分析師Joseph Unsworth表示;而該機構預測IM Flash會在今年底宣佈增加至少一座晶圓廠,以應付產能需求。

而儘管新晶圓廠的興建與否還是未知數,Intel與Micron在NAND Flash產品的發表上持續動作積極。Freedman指出:「Micron已量產90奈米MLC,其72奈米MLC也處於樣品階段,並預計2006年底到2007年初會大量出貨。」此外這兩家公司在上個月才發表了共同研發的50nm製程4Gbit NAND Flash樣品,該元件由IM Flash製造,採用銅製程化學機械研磨(CMP)技術,與氧化矽CMP製程技術互別苗頭。(參考連結)

而其對手三星也不是省油的燈,該公司不久前才宣佈量產採用60nm製程的8Gbit NAND Flash記憶體產品。

(參考原文:IM Flash preps new fab, says analyst)

(Mark LaPedus)




投票數:   加入我的最愛
我來評論 - NAND產能競賽 IM Flash摩拳擦掌
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首