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NAND新秀IM Flash功夫了得 直追Toshiba

上網時間: 2006年08月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NAND Flash  Toshiba  奈米記憶體  IM Flash  Intel 

加拿大工程顧問公司Semiconductor Insights,對美光(Micron)與英特爾(Intel)合資成立的IM Flash Technologies (IMFT)的50奈米NAND快閃記憶體進行分析後得出,儘管這是第一款50奈米快閃記憶體,其密度卻直追東芝(Toshiba)的70奈米快閃記憶體。

Semiconductor Insights指出,IMFT的這款50奈米NAND快閃記憶體為一款single-bit per cell元件,因此其密度和東芝的70奈米8G快閃記憶體相差無幾。SI公司位元於加拿大安大略省Kanata市,專門分析積體電路、設備結構和專利組合。

IMFT這款50奈米4G快閃記憶體每平方毫米可儲存41.8Mbits的數據,而東芝採用多層單元(MLC)的70奈米8G快閃記憶體,每平方毫米可儲存數據為56.5Mbit。

Semiconductor Insights的首席記憶體分析師Geoff MacGillivary表示:「我們對IMFT快閃記憶體的初步分析,證實了字線間距(the word-line pitch)的50奈米閘長度。IMFT能夠以如此快的速度發展到如此之小的微影製程技術實屬不易。」

MacGillivary同時指出,在此之前最好的單層單元(single-level cell,SLC)快閃記憶體是三星(Samsung)的65奈米4G快閃記憶體,密度為每平方毫米31.3Mbit,而IMFT快閃記憶體的核心面積比三星的小30%。

唯一優於IMFT快閃記憶體的是東芝的70奈米8G快閃記憶體,由於採用多層單元,其密度達到每平方毫米56.5Mbit。但是其核心面積卻比IMFT快閃記憶體的核心面積大50%,因此增加了製造的總成本。

(參考原文:Intel, Micron trail Toshiba in flash density, says analyst)

(Peter Clarke)




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