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msystems x4獲選為今年度最具創新性Flash技術

上網時間: 2006年09月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:msystems  x4  NAND Flash  快閃記憶體高峰會  TAU 

msystems宣佈其msystems x4 NAND快閃記憶體技術,獲得在美國舉行之「快閃記憶體高峰會」之業界專家評審團,選為2006年「最具創新性之快閃記憶體技術」之一。x4技術是msystems與特拉維夫大學(TAU)電子工程學院共同研發,並取得獨家授權,此項技術將用於特拉維夫大學的商業化部門暨技術轉移公司──Ramot之快閃記憶體產品。

x4技術為msystems的專利技術,具備優異快閃管理功能及控管算式,該技術所啟動的快閃零件,預定由首創的每格4位元NAND快閃媒體及x4內建控制器構成,相較於目前透過同等蝕刻技術製造且最先進的每格2位元多層式儲存格(MLC) NAND快閃晶圓,採用新技術的NAND快閃製造商,預期能省下30%以上的成本。




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