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Fairchild新款MOSFET元件具低導通阻抗特性

上網時間: 2006年09月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:快捷  SuperFET  MOSFET  導通阻抗  DPAR 

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)開發出新款低導通阻抗600V SuperFET MOSFET元件系列,是專為滿足最新超纖小型安定器(ballast)應用的DPAK (TO-252)元件需求而設計的。DPAK SuperFET元件導通阻抗號稱僅傳統平面MOSFET的三分之一(0.6~1.2Ohm),能將開關和導通損耗降到最低,並滿足這些快速開關照明設計對系統效率的需求。這些元件還能承受安定器在極高頻率下可靠工作所需的快速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)轉換瞬態效應。

一般而言,當標準MOSFET的擊穿電壓提高時,其導通阻抗RDS(on)將隨之呈指數級成長,並使得晶片的尺寸增大。快捷專有的SuperFET技術則將RDS(on)與晶片尺寸的這種指數關係轉變為線性關係,讓該元件可獲得出色的RDS(on)和很小的晶片尺寸,甚至在600V擊穿電壓下也是如此。

快捷表示,其專利SuperFET技術可獲得低的導通阻抗以縮小MOSFET晶片尺寸,並實現600V/0.6Ohm的DPAK封裝產品。相較之下,通常用於照明應用的600V/0.6Ohm平面MOSFET器件,則採用較大的TO-220或D2PAK (TO-263)封裝。

除了用於安定器的DPAK封裝器件外,快捷半導體並針對照明、主動功率因數校正(PFC)和AC/DC電源系統提供全面的SuperFET產品系列。SuperFET MOSFET採用無鉛的DPAK封裝,能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,並符合現已生效的歐盟標準,已開始供貨。




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