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Microsemi推出新一代MOS 8系列功率元件

上網時間: 2006年09月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Microsemi  MOS 8  MOSFET  REDFET  FREDFET 

Microsemi推出其最新一代功率MOS 8產品的首批15款產品。這些新型的功率MOS 8 MOSFETREDFET系列元件,設計用於包括功率因子校正、伺服器和電信電源系統、太陽能轉換器、電弧焊、電漿切割、電池充電器、半導體資本設備和感應加熱等高功率、高性能開關模式應用。

Microsemi採用先進的設計技術最佳化電容器和柵極電阻,號稱可使新系列元件受振盪影響程度降低、峰值轉換率更低、EMI減少、提高了dv/dt處理能力。這些優點相結合可簡化高功率應用中對多個元件的濾波和並聯。此外與早期的元件相較,先進的製程降低了MOS 8產品的熱電阻,使每個晶片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容器和柵電荷的降低可實現較高的轉換頻率和較低的開關損耗。

所有MOS 8元件經過100%崩潰能量檢測,所用封裝皆符合RoHS指令。因受益於恢復速度小於250ns的快速寄生二極體,MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部優點。這些元件具備高耐用性和可靠性,如常用的零電壓轉換(ZVS)橋拓樸。

功率MOS 8系列首批推出的這10款MOSFET和5款FREDFET元件的額定電流範圍為19至75A,額定電壓範圍為500V至1200V。其它不同的額定電流、電壓組合將在2006年底和2007年初推出。

首批超快恢復FREDFET元件的額定電壓範圍為500V和600V,恢復時間僅為150奈秒,計劃在2006年第四季推出。額定電壓為600V和900V的功率8 IGBT將在2007年年初推出。




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