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安森美擴增低飽和電壓BJT產品線

上網時間: 2006年11月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:安森美  ON Semiconductor  Vce(sat)  雙極接面電晶體  Bipolar Junction Transistor 

安森美半導體(ON Semiconductor)宣佈擴增低Vce(sat)飽和電壓雙極接面電晶體(Bipolar Junction TransistorBJT)產品線,推出採用WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563與ChipFET等封裝的產品,這些提供多種封裝選擇的新元件整合了先進的矽晶技術,並擁有比傳統BJT與平面式MOSFET更佳的電源效率效益與更長的電池使用時間,相當適合各種可攜式應用。

新低Vce(sat)飽和電壓表面黏著式封裝元件特別針對必須進行能源效率控制的低電壓高速切換應用設計,具備在1A電流下僅45mV的超低飽和電壓與高電流增益,並擁有>8000V的高靜電放電(ESD)承受力,本身即具備意外突波與破壞的保護能力,透過提供卓越的電氣效能與低溫度係數,可用以改善電源效率,從而節省電池的耗電。

完整的低Vce(sat)飽和電壓BJT系列產品提供多種封裝選擇,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74與TSOP-6等。SOT-23為最普遍的封裝之一,並擁有最低的成本;SOT-563則是尺寸最小的封裝,大小為1.6mm x 1.6mm x 1.0mm;兩款WDFN封裝則為2.0mm x 2.0mm,厚度僅0.7mm,是目前可攜式應用市場上散熱效率最佳的封裝,而3.0mm x 2.0mm x 1.0mm的ChipFET封裝則提供最佳的整體效能。

這些元件的理想應用包括電源管理、電池充電、低壓降穩壓、震動馬達、LED背光、磁碟機控制以及低功率升降壓轉換器等。




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