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三星DRAM技術正式邁向50奈米

上網時間: 2006年11月01日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Samsung  DDR2  DRAM  NAND  SEG 

三星電子(Samsung)開發出一款基於三維電晶體設計和多層介質技術的50奈米1G DDR2 DRAM晶片。這種晶片採用了選擇性磊晶生長電晶體(selective epitaxial growth transistor,SEG Tr),可產生一種更寬的電子通道,因而加速電子流動。這種技術可降低並提高性能。

為改善訊號傳送速度,該晶片的設計人員在SEG電晶體中使用了多層的介質層(由ZrO2/Al2O3/ZrO2組成)。該公司聲稱這種材料可儲存更多電子,從而提高儲存容量。三星同時採用了其專有的凹槽通道陣列電晶體(Recess Channel Array Transistor,RCAT)技術,據稱可將DRAM的刷新率提高一倍。三星表示,這將成為未來DRAM的關鍵技術。

DRAM正開始在容量上追趕NAND快閃記憶體。就在英特爾(Intel)和美光(Micron)合資的IM Flash Technologies公司推出基於50奈米製程的4Gb NAND快閃記憶體樣品後幾個月,三星也在9月初發佈了基於40奈米製程技術的32Gb晶片。

對三星來說,從60奈米轉向50奈米,其DRAM產量將提高55%。三星表示,此種DRAM將於2008年開始量產,並將到2011年成為總額550億美元DRAM市場中的主流技術。

(Mike Clendenin)




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