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雙光束紅外線雷射修復系統可顯著提升記憶體生產率

上網時間: 2006年11月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ESI  雙光束  雷射修復  Model 9850  DRAM 

美商電子科學工業公司(Electro Scientific Industries,ESI)最近針對大容量DRAMNAND快閃記憶體開發出一種雙光束紅外線雷射修復系統Model 9850,據稱其雙光束平行處理能力可提供高速處理多重金屬連線能力,從而將總處理量較現有修復系統提高90%。

這款紅外線雷射修復系統主要針對採用90奈米的大容量DRAM與NAND快閃記憶體,如1Gb的DRAM或是2個4Gb NAND等應用。ESI半導體事業群產品經理Paul Kirby指出,“當記憶體容量提升,損失一個裸晶的成本就變得非常高昂,因此像Model 9850這類雷射修復系統的重要性預期將日益提高。”

雙光束技術能在處理期間內自動針對每個產品選擇最佳化的產出結果。Kirby表示,其雙光束技術的最大雷射能量可達每光束0.9uJ,平均修復率在1.3um波長時為70kHz、1um波長時為100kHz;雷射脈衝寬度在1.3um時為12ns±2或16.5ns±2、在1um時則為13ns±2.5。另外,由於雙光束技術主要運用來自單一雷射源的雙光束架構,因此仍能維持與前一代983X單雷射光束系統相同的精確度與穩定性。

Kirby透露,根據四家記憶體製造商採用雙光束系統針對4Gb NAND、256Mb DRAM、1Gb DRAM與512Mb DRAM的測試結果顯示,與採用其前一代Model 9830相較,生產率分別獲得了24%、95%、89%與42%的提升。

“多光束傳遞雷射修復系統可處理新一代高容量DRAM及NAND快閃記憶體的微小金屬連線,進行整片晶圓加工只需現有時間的一半,對高產量的自動化300mm廠來說,這是提升生產率的重要環節,”Kirby說。他同時表示,ESI目前已取得數項關於雙光束雷射控制的專利,而且正持續就這種獨特的雷射構造進行開發,以符合對新一代記憶體元件日益增加的需求。


圖:雙光束雷射修復系統架構,主要針對大容量記憶體應用

Model 9850主要瞄準90奈米製程的大容量記憶體,其雷射點尺寸約為2um。不過,Kirby透露,針對更微小的次奈米製程,如65或45奈米,該公司也同時發佈了採用紫外光雷射的UV系列修復系統,目前已將雷射點尺寸微縮到最小0.8um,預期能滿足到45奈米製程的需求。

作者:鄧榮惠




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