分析師指IM Flash新廠將延長NAND價格壓力

針對IM Flash Technologies即將興建一座新晶圓廠的訊息，產業分析師提出警告指出，該行動可能延長NAND快閃記憶體市場面臨價格壓力的時間。英特爾(Intel)和美光(Micron)稍早之前表示，雙方已決定在新加坡興建生產NAND快閃記憶體的第四座合資晶圓廠。

英特爾和美光合資企業IM Flash的NAND快閃記憶體晶圓廠，計劃在2007上半年動土、2008年下半年投產，初期將採用50mm製程和300mm晶圓。「英特爾和美光急需新加坡新廠的產能，但整體NAND快閃記憶體市場則未必。」市場研究公司Gartner的分析師Joseph Unsworth表示：「巨額投資以及大量產能陸續上線，將持續在未來對NAND價格構成壓力。」

做為半導體產業中成長最快的晶片領域之一，NAND快閃記憶體市場的成長速度正在趨緩。Gartner不久前才把2006年NAND快閃記憶體銷售額預估“砍”了15億美元，並預測該產業在2007年形勢低迷。

(Mark LaPedus)