記憶體/儲存
分析師指IM Flash新廠將延長NAND價格壓力
關鍵字:NAND快閃記憶體 IM Flash Intel Micron 市場分析
針對IM Flash Technologies即將興建一座新晶圓廠的訊息,產業分析師提出警告指出,該行動可能延長NAND快閃記憶體市場面臨價格壓力的時間。英特爾(Intel)和美光(Micron)稍早之前表示,雙方已決定在新加坡興建生產NAND快閃記憶體的第四座合資晶圓廠。
英特爾和美光合資企業IM Flash的NAND快閃記憶體晶圓廠,計劃在2007上半年動土、2008年下半年投產,初期將採用50mm製程和300mm晶圓。「英特爾和美光急需新加坡新廠的產能,但整體NAND快閃記憶體市場則未必。」市場研究公司Gartner的分析師Joseph Unsworth表示:「巨額投資以及大量產能陸續上線,將持續在未來對NAND價格構成壓力。」
做為半導體產業中成長最快的晶片領域之一,NAND快閃記憶體市場的成長速度正在趨緩。Gartner不久前才把2006年NAND快閃記憶體銷售額預估“砍”了15億美元,並預測該產業在2007年形勢低迷。
(Mark LaPedus)
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