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ST推出可提升照明應用性能的高功率MOSFET

上網時間: 2006年12月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:意法半導體  ST  MOSFET  STD11NM60N  Mdmesh 

意法半導體(ST)宣佈推出新系列功率MOSFET產品的第一款產品。新的功率MOSFET系列產品具備極低的ON-resistence與優異的動態和avalanche特性,可幫助客戶大幅地降低其照明應用的傳導損耗,以及強化其產品的效能和可靠性。

因應商用照明應用市場對更高功率密度和更低成本的產品的持續需求,促使半導體廠商必須致力於提供最佳化的IC解決方案。新推出的最佳化功率MOSFET STD11NM60N採用ST第二代具專利的MDmesh技術,最大通態電阻RDS(ON)為450mΩ,比起上一代MDmesh技術,可降低其電阻值高達55%,同時也並不會影響其對temperature dependence的精確控制。

除了透過最小化的電阻值來大幅降低其ON-state外,這個600V產品的主要特性還包括一個節能的驅動電路,可使MOSFET能夠在較低的VGS(th) (Voltage Gate Threshold)電壓下驅動更高的電流。事實上,雖然維持一樣的Threshold spread (2V),但是驅動該器件所需的VGS電壓範圍已經降低了,進而使其驅動電路的性能更為最佳化,並確保元件具有優異的噪音降低功能以防止電路意外啟動。

STD11NM60N的主要特性包括一個優異的具dv/dt性能的二極體和出色的avalanche特性,可協助客戶確保其工作溫度維持在標準的範圍內。 因為其傳導損耗和功率消耗都很低,此產品還可協助客戶縮小其散熱器的體積以節省電路板的空間。

此小尺寸的晶片提供超小的DPAK/IPAK和TO-220FP封裝,特別適合照明應用產品,如大功率因數電子安定器和高強度放電燈管(HID)的電子安定器。STD11NM60N現已量產。




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