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新型電子顯微鏡可支援65nm半導體材料分析

上網時間: 2006年12月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:穿透式電子顯微鏡  TEM  半導體晶片分析  Helios NanoLab 400S  FEI 

一家美國公司FEI將於近期推出一套穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscopes,TEM),並表示該套TEM可進行原子級(atomic-scale)的成像和半導體晶片分析。該公司並將在Semicon Japan展出這款Helios NanoLab 400S型TEM。

FEI的Helios NanoLab是雙電子束(dual-beam) TEM系列產品。NanoLab上的一個聚焦離子束(focused ion beam)可以切開晶片上極其微小的薄片(slivers),而不會損壞相鄰的晶片。接著,掃描電子束會對這塊薄片進行分析,因而獲得半導體晶片上各層的橫斷面影像。

FEI表示這款TEM的影像解析度較舊型號提高了40%。同時對於橫斷面成像,低電壓掃描電子顯微鏡解析度也有提高,因而能更容易地分析65以下級奈米設計節點的半導體材料。

(R. Colin Johnson)




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