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意法70nm製程NAND快閃記憶體產品全線上市

上網時間: 2006年12月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NAND  70nm  意法  記憶體  F70 

意法半導體(ST)宣佈,該公司採用70nm製程的NAND快閃記憶體產品已全線上市。512-Mbit和1/2/4/8-Gbit快閃記憶體升級到ST的70nm製造製程,產品價格更低廉、功耗更小。高密度的記憶體晶片可為各種電腦和消費電子應用產品提供大量資料儲存功能,如數位相機、PDA、GPS導航系統、快閃記憶體卡和隨身碟、印表機、視訊轉換盒(STB)、數位電視機、汽車多媒體系統和多媒體手機。

該系列全部產品都具有速度極快的資料傳輸和擦除功能。該系列產品的尋址線路和資料輸入/輸出透過一條8位元或16位元匯流排傳輸訊號,這種多工技術不僅可以減少封裝接腳的數量,還允許系統使用一個模組化的NAND介面,無需改變晶片的面積便可使系統自動適應高密度或低密度快閃記憶體。

ST還為新的記憶體晶片提供一套軟體工具,幫助用戶快速開發使用新快閃記憶體晶片的應用產品,同時還能延長產品的使用壽命。工具套件括糾錯程式碼(ECC)軟體;識別失敗的擦寫作業並將無效儲存塊上的數據複製到有效區塊的壞塊管理(BBM);通過在所有的儲存塊中分配擦寫作業減緩晶片老化的平均讀寫演算法;文件系統OS本機參考軟體;硬體類比模型。

記憶體由按頁讀寫的儲存塊組成。每個儲存頁都預留一個備用空間,通常用於糾錯程式碼、軟體標記或壞塊識別。數據複製程式模式可以把存在某一頁的數據直接寫到另一頁中,無需任何額外的緩衝記憶體空間。新產品還提供一個擦除時間僅2ms的儲存塊擦除指令。每個儲存塊額定擦寫循環10萬次,資料保存期限10年。

新產品並具有「Chip Enable Don’t Care」功能,可以簡化微控制器的介面設計,以及NAND快閃記憶體與其它類型記憶體(NOR快閃記憶體和xRAM)的整合方法。在程式碼和工作記憶體採用速度更快的記憶體,而大容量文件儲存採用成本更加低廉、密度更高的NAND快閃記憶體的應用中,不同類型的記憶體晶片整合在一個封裝內是最常用的解決方案。

ST新款F70 SLC NAND快閃記憶體現已投入量產。




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