Maxim推出大容量表面黏著單片式NV SRAM模組

Maxim的全資子公司Dallas Semiconductor，推出新款大容量、單片式、表面黏著非揮發性(NV) SRAM模組：DS2070W+100(2M×8位元)，以及DS3070W+100(2M×8位元，整合RTC)，內建可經受回流焊的電池。

與目前市面上其他NV SRAM模組不同，DS2070W/DS3070W NV SRAM模組極其簡單。該系列元件採用單片式方案，內建可經受回流焊的電池。可以採用標準裝配流程很簡單的實現該系列元件的安裝：可以透過現有的拾取/貼放機從裝有元件的捲帶上拾取並貼放元件。該系列元件還相容於標準的SMT製程，可以承受最長30秒鐘的+225℃(+0/-5℃)的峰值回流焊溫度。完成回流焊後，該模組可以採用水清洗流程，無需任何附加措施。

與競爭對手的傳統兩片式表面黏著方案相較，DS2070/DS3070的可回流焊電池就更顯其重要性。兩片式方案需要額外增加裝配工序及成本，安裝電池時需要尤其小心，因為目前業界所使用的一次性電池不能採用回流焊。因此通常都是先採用回流焊製程將基底(不帶電池)焊到電路板上，然後在裝配工序最後階段才將電池手工安裝到基底上。DS2070W/DS3070W免去了這些裝配工序，縮短了生產週期並降低了成本。

DS2070W/DS3070W是高度整合的模組，方便使用，元件利用智慧電路持續監控VCC，防止意外掉電引起重要資料的遺失。VCC接到模組上時，外部電源對內部的鋰錳電池充電，同時為SRAM供電，允許用戶修改SRAM的內容。當電源電壓超出容限時，元件自動接通電池，並且無條件啟動寫保護，以防止資料丟失。元件可以無限次執行寫作業，與微處理器介面時無需任何附加電路。

新款單片式NV SRAM模組是全靜態記憶體，結構和功能上與目前公司現有的單片式NV SRAM模組相類似。該系列模組可以替代SRAM、EEPROM、或快閃記憶體，這些元件的容量介於32k×8位元至2M×8位元之間。不同容量的元件均具有相同的封裝形式和接腳排佈，方便用戶在不改變主體設計情況下擴展記憶體容量。

DS2070W/DS3070W採用RoHS相容、27mm×27mm、256焊球BGA封裝，與外界環境實現完全隔離。該系列元件規定工作在-40℃至+85℃產業級溫度範圍。