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日立與瑞薩共同發表突破性相變化記憶體研發成果

上網時間: 2007年01月05日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:相變化記憶體  日立  瑞薩  IEDM  鍺銻碲硫化物合金 

日立(Hitachi)和瑞薩科技(Renesas)在2006年12月舉行的國際電子元件大會(IEDM)上,發表了一項相變化記憶體(phase-change memory)技術研發成果。

該技術的特點在於連接MOS電晶體和相變化薄膜──即一種標準鍺銻碲硫化物合金(germanium antimony tellurium chalcogenide alloy)──之間的插頭,是採用五氧化鉭(tantalum pentoxide,Ta2O5)介面層。瑞薩表示,其設計能防止插頭上的熱耗散,因而允許在較低功耗下實現非晶狀態(amorphous state)的重置。

此外瑞薩亦表示,在以這種方式構造的相變化記憶體單元原型內,編程作業電流為100微安,電源電壓為1.5伏。五氧化鉭介面層與相變化薄膜之間的附著力(adhesion),可讓記憶體單元加工時穩定性增強。

常規相變化記憶體必須要加熱相變化薄膜材料,以超過熔點,使薄膜返回到非晶狀態,這需要1毫安的電流或更多。五氧化鉭介面層結構則可克服與材料有關的發熱問題,溫度可迅速上升到熔點,因而消耗較少能量。與其它非揮發性記憶體相較,相變化記憶體有潛力做到高密度,提供更快編程和寫入速度。

(參考原文:Hitachi, Renesas improve phase-change memory)

(Peter Clarke)




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