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Ovonyx與Qimonda將合作進行相變化記憶體研發

上網時間: 2007年01月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:PCRAM  相變化記憶體  技術授權  記憶體 

Ovonyx與奇夢達(Qimpnda)日前宣佈,雙方就採用Ovonyx和奇夢達的相變化隨機存取記憶體(PCRAM)相關技術專利及知識產權的記憶體產品,簽訂長期交叉許可協議。根據該協議規定,Ovonyx將大力支援奇夢達相變化記憶體產品開發計畫。

Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發明並率先開發了PCRAM技術,對PCRAM的情況非常了解,包括相變化記憶體設備、材料、加工、設計、模型製造和性能最佳化。Ovonyx PCRAM技術採用可逆相變化儲存過程,能夠實現高性能、高密度、陣列尋址式半導體記憶體技術,該技術可替代快閃記憶體和DRAM記憶體,同時也可應用於微控制器和可重構MOS邏輯元件等嵌入式應用。

奇夢達多年來一直從事記憶體產品的研發,包括目前與IBM和Macronix合作進行的研發計畫。作為奇夢達記憶體部業務的一部份,奇夢達今後將繼續從事相變記憶體技術的研發,並推動其實現成果轉化。

「Ovonyx的PCRAM技術有可能給快閃記憶體和DRAM業務帶來革命性變化。」奇夢達總裁兼執行長Kin Wah Loh指出:「在Ovonyx的大力支援之下,我們將加大該新興技術的研發力度,推動其實現成果轉化。」

「奇夢達擁有多個12吋晶圓廠,這為PCRAM記憶體產品提供了良好的平台。」Ovonyx總裁兼執行長Tyler Lowrey指出:「我們非常期待與奇夢達合作展開PCRAM產品開發計畫。」

(參考原文:Qimonda, Ovonyx devise phase-change ICs)

(Christoph Hammerschmidt)




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