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新日本無線推出低雜訊放大器GaAs MMIC

上網時間: 2007年01月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:新日本無線  NJG1127HB6  New Japan Radio  CMOS  RF IC 

新日本無線(New Japan Radio)公司針對採用CMOS RF IC的800MHzCDMA手機,研發出一款具有旁通電路的低雜訊放大器砷化鎵微波單晶積體電路(GaAs MMIC) NJG1127HB6

NJG1127HB6由低雜訊放大器、旁通電路、控制用邏輯電路等構成,可實現高增益模式時IIP3=+8dBm min. @ f=880MHz的低失真特性,以便於訊號接收電路設計。此外,該放大器內建保護元件,實現了人體靜電模型法(HBM)1000V以上的高靜電放電(ESD)耐壓性能。

由於強電場輸入時不需要使用放大器對RF訊號進行增幅,NJG1127HB6在內建不通過低雜訊放大器的旁通電路同時,也使內建低雜訊放大器處於待機狀態,實現典型值15μA的低消耗電流(低增益模式)。電場輸入處於通常狀態時,通過內建低雜訊放大器對RF訊號進行增幅(高增益模式)。對於高、低增益模式的切換時,利用微處理器即可通過控制邏輯電路以1位元控制訊號進行切換。

新日本無線公司現可提供NJG1127HB6樣品,今年1月正式投產。




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