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Infineon推出首款商用矽晶低雜訊放大器

上網時間: 2007年02月22日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:低雜訊放大器  LNA  GaAs  BGA700L16  BGA734L16 

英飛凌(Infineon)推出商用矽晶低雜訊放大器(low noise amplifier,LNA)產品。和現今昂貴的Gallium Arsenide (GaAs)產品相較,該產品能夠提供更佳之效能價格比,同時亦符合行動電話3GPP之規定。

英飛凌新款低雜訊放大器BGA700L16BGA734L16,結合了英飛凌獨家的矽鍺碳(Silicon Germanium carbon,SiGe:C)製程和低電阻晶片接地之特性。採用這樣的結合,號稱可獲得同等級低雜訊放大器中最佳之雜訊水準。BGA700L16是一個雙頻道低雜訊放大器,適用於無線區域網路(WLAN)系統,而開發三頻道的低雜訊放大器BGA734L16則是適用於UNTA或HSxPA之應用。

設計無線產品之RF電路所面對的主要挑戰之一,是要將靈敏度、網路之涵蓋面、以及數據傳輸率做最佳化的處理,主要的決定因素是接收器之雜訊水準。傳統上,RF和微波系統之設計者必須採用更昂貴的GaAs低雜訊放大器,這是由於以往矽晶效能的限制之故。全新之矽鍺碳(SiGe:C)製程更具能源效率,更容易和其他晶片功能進行整合。

BGA734L16是一個用在3G應用的高度整合低雜訊放大器。為了能降低設計的複雜性,並將成本降至最低,這個RF裝置整合了三個放大器在單一晶片上,包括800、1,900、和2,100MHz手機頻道。BGA734L16具有超低雜訊數據,在2,100MHz頻道時只有1.2dB。本晶片還具備更多的功能,包括一個溫度穩定電路、1KV ESD之保護、以及一個輸出匹配網路(50Ω)。

BGA734L16亦擁有增益控制功能,在高水平的干擾環境之中,涵蓋更寬的範圍以及更好的系統效能。此外,經過控制後的增益,能夠延長電池的壽命。該元件是特別為無線區域網路(802.11/a/b/g/n)應用而設計的低雜訊放大器,整合了一個2.45GHz單級放大器和一個兩級放大器,以符合4.9至5.95GHz頻道的需求。

此外BGA700L16的雜訊水平在5.5GHz時只有1.3dB。該晶片的其它功能特性包括了內部匹配之輸入和輸出、關機模式、以及溫度穩定。目前已經開始供應這些全新低雜訊放大器之樣品,於2007年4月開始量產。

此兩種晶片均採用TSLP (Tiny Small Leadless Package)-16封裝,其尺寸僅2.3mm×2.3mm×0.39mm,非常適合低高度的多媒體電話以及高度整合的WLAN模組。




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