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東芝多管齊下 強化嵌入式快閃記憶體功能

上網時間: 2007年03月12日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:東芝  Toshiba  ECC  NAND  快閃記憶體 

針對日益成長的嵌入式NAND快閃記憶體市場,日本東芝(Toshiba)推出了四種全新技術,以提升NAND快閃記憶體的錯誤校正碼(ECC)功能並解決其它問題。

具體而言,這四種技術包括了邏輯區塊定址(LBA) NAND、Gigabyte (GB) NAND、GB多晶片封裝(MCP)和封裝層疊技術(PoP),目標是提高錯誤校正碼(ECC)能力和解決NAND快閃記憶體的其他設計問題。LBA-NAND和GB-NAND是單元件解決方案,而GB MCP和PoP則屬於晶片封裝技術。

這些解決方案採用了東芝最新的56奈米製程多層單元(MLC) NAND快閃記憶體晶片。東芝預計嵌入式NAND快閃記憶體市場規模會從2006年的63億美元成長到2010年的129億美元。東芝是僅次於韓國三星電子公司的全球第二大NAND快閃記憶體供應商。

整合了NAND快閃記憶體的設計在消費電子領域中日趨普遍。但對設計師而言,採用NAND快閃記憶體進行設計也存在其固有的挑戰,如從4位元ECC向6位元ECC的轉變,以及複雜的軟體驅動等問題。而另一個讓人頭疼的難題是從SLC NAND架構向MLC晶片的轉變。

“MLC需要更好的糾錯能力,”東芝美國公司晶片部門技術人員Doug Wong強調。為了能在這方面為設計師們提供協助,東芝已推出基於LBA-NAND和GB-NAND這兩種技術的56奈米製程晶片。目前的NAND快閃記憶體採用實體位址存取方式來定義快閃記憶體中每一個頁面的位址,其尋址的過程依次是晶片-區塊-頁面-記憶體單元。工程師必須開發主機端與驅動程式規格,以識別和提供實體尋址能力,或採用第三方控制器來實現這些功能。

東芝表示,LBA-NAND解決了其中的大部份問題。LBA的邏輯定址存取方式為每一個記憶體單元分配唯一的位址編碼。第一個單元的位址就是簡單的0,再依次為每一個單元進行編號。為每個單元分配一個新位址使得記憶體容量的增加變得更簡單易行。

此外,這種方法也使得由主機端所控制的區塊管理、ECC以及耗損均衡(wear-leveling)等功能,均可透過LBA-NAND控制器在記憶體端處理。

東芝首批LBA-NAND晶片採用56奈米製程,目前可提供2GB、4GB和8GB三種容量規格。該產品據稱擁有8位元的ECC處理能力、1萬次寫入/擦除週期、5Mbps的寫入速率,以及超過10Mbps的讀取速率。其中,2GB和4GB晶片訂於第二季出產,但8GB的投產時間尚未公開。這些晶片採用48接腳的TSOP封裝,可取代SLC NAND快閃記憶體晶片。


圖:單封裝解決方案中採用了多達4個MLC NAND晶片。

作者:馬立得




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