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快閃記憶體可能在32nm製程遭遇STT-RAM挑戰

上網時間: 2007年04月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:STT-RAM  MRAM  TMR  STT  自旋矩傳輸 

新創企業Grandis公司正積極推動其STT-RAM記憶體技術的商用化,STT-RAM是眾多競相成為下一代‘通用’記憶體技術的方案之一。

Grandis總裁兼CEO Farhad Tabrizi已經為STT-RAM的商用化規劃了一套完整的發展藍圖,其中包括採用STT-RAM寫入數據的自旋矩傳輸(STT)方法,以開發嵌入式元件和獨立元件。該公司具有明確的市場目標,“我們正努力使該技術商用化,”Tabrizi指出,“我們認為該技術可以在32nm時取代快閃記憶體。”

要成就這項遠大的目標,Grandis將面臨一些重大挑戰,但STT-RAM的確是一種很有前景且“頗具吸引力”的技術,Semico Research分析師Bob Merritt指出。

STT-RAM屬於第二代MRAM技術,據說能夠解決傳統MRAM結構所存在的一些問題。

目前所開發的大多數MRAM元件都是透過使磁場改變磁化方向來寫入數據,而磁場則是由流經隧道磁阻(TMR)單元附近導線的電流所產生的。Grandis公司認為,雖然這種方法可以實現快速作業,但功耗太大。

相反地,Grandis的STT方法採用了一種自旋極化電流以改變磁性位元,該公司表示,除了降低功耗,這種技術還能增加容量。STT-RAM透過校準流經TMR元件的電子旋轉方向來寫入數據。

STT-RAM是幾種試圖在新興通用記憶體市場取得主導地位的技術之一。幾家正在開發下一代記憶體技術的公司們都宣稱,其各自的技術將結合DRAM的容量和成本優勢、SRAM及各種MRAM不同版本的快速讀寫性能於一身。這些技術包括鐵電RAM(FRAM)和相變記憶體(PRAM)。

Grandis公司創立於2002年,已經從數家投資公司獲得了總額1,500萬美元的資金。

下一步計劃

2005年,瑞薩(Renesas)和Grandis公司宣佈共同開發STT寫入技術。瑞薩打算使用該技術開發微控制器和SoC。

Grandis也宣稱正把該技術授權給其它公司,但並未透露具體細節。

這家新創公司投資300萬美元興建的無塵室將於近日完工並開始運作,這將為STT-RAM技術的商用化而鋪路。

目前,Grandis已開發出一款1Mb的測試晶片。在量產準備就緒時,Grandis希望以一款採用65nm製程技術的STT-RAM進軍嵌入式市場。

該嵌入式元件可望在2007年底或2008年初問世。“我們將致力於尋求在嵌入式市場上取代SRAM和NOR。”Tabrizi表示。

在進入嵌入式市場後,Grandis下一步的打算是開發一款獨立的STT-RAM,該產品將採用45奈米製程,預計於2008年底或2009年初問世。

作者:馬立得




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